真空镀铝时在6×10-2 Pa以上能形成良好的膜层。当真空度低时，会出现下述两种情况：
①基片表面吸附着许多残余气体分子，当蒸发材料的蒸气分子到达基片之后，在基片表面残余气体分子与蒸发材料的蒸气分子将产生化合作用，所形成的化合物影响膜的质量。
②蒸发材料的蒸气分子到达基片表面的过程中与残余气体分子发生碰撞的概率增加，使得蒸发材料蒸气分子消耗大量的动能，以至达不到基片表面，即使到达基片表面，其吸附能也会大大降低。因此膜层松散无力，严重时出现粉末状的附着，一擦即脱落。在实际生产中观察到，真空室的真空度低于10-1Pa时，铝膜呈灰色，其附着力降低，当真空度更低时，铝膜呈黑色，附着力很低。
采用真空蒸镀法在不对真空室及基片进行烘烤去气的情况下进行镀膜，真空度在10-2～10-5Pa时，就可获得质量较好的膜层，如果要求真空度超过10-6Pa，在镀膜之前必须对真空室及基片进行严格的烘烤，才能实现如此高的真空，而这种烘烤去气过程，如对基片没有特殊的保护措施，会造成对基片的污染，反而会使膜质量下降的概率增加。
(2)膜层沉积速率的选择蒸发材料的蒸气分子在飞往基片表面的过程中，与真空室内的残余气体分子会发生碰撞，还可能与基片表面吸附的气体分子发生碰撞。膜层沉积的时间越长，上述碰撞的次数越多；提高蒸发速率，则可降低碰撞概率，因而单位时间内，吸附在基片上的蒸发材料便越多，形成的杂质则越少，膜层的质量越好。为了制得高纯的膜层，可以通过提高膜层沉积速率而获得。具体措施为适当提高蒸发源的温度、增大蒸发面积。以真空镀铝镜为例，在铝丝数量及多股丝状螺旋形蒸发源的表面积都已确定的前提下，在操作上掌握下述三点：适当提高蒸发源的温度，铝丝材料全部熔化，铝丝在熔化后没有滴落的情况下迅速并完全蒸发，使蒸发过程尽量缩短。通过这些措施，便可获得高质量的镀铝镜。
(3)蒸发源、蒸发材料的表面必须清洁新装的蒸发源及每次填加的蒸发材料，其表面必须清洗干净，除净油污及氧化皮，要求镀膜质量高的工件，在蒸发材料开始熔化时用挡板挡住工件，由于此时蒸发材料的蒸气分子能量低、杂质多，因此不让此部分蒸气分子沉积到工件表面上，待过一段时间后，将挡板移去，这样就可制得高质量的膜层。
蒸发源如果存在脏物，通电发热时则产生大量的杂质气体分子，影响膜层的质量及降低沉积速率；蒸发材料如有污物，当它被加热时也会产生大量的杂质气体分子；如果污物是氧化层，由于它不易气化，也会影响蒸发，这两种原因都会导致膜层沉积速率的降低。